场效应晶体管（FET）是一种通过电场效应控制电流的电子元器件。场效应晶体管依靠电场去控制导电沟道形状，因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时也被称为单极性晶体管，相对应的是双极性晶体管。由于半导体材料的限制，以及一段时期内双极性晶体管比场效应晶体管更容易生产制造，场效应晶体管的出现要比双极性晶体管更晚，但事实上，场效应晶体管的概念是要比双极性晶体管更早的。
场效应晶体管由各种半导体构成，目前而言，硅是最常见的。大部分的场效应晶体管通过传统的块体半导体制造技术生产制造，使用单晶半导体硅片作为反应区或沟道。不常见体材料主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体，常常用有机栅绝缘体和电极。
场效应晶体管的特点
1.它是电压控制器件，通过栅源电压来控制漏极电流；
2.输入端电流极小，输入电阻很大；
3.利用多数载流子导电，所以它的温度稳定性比较好；
4.场效应晶体管组成的放大电路，其电压放大系数会小于由三极管所组成的放大电路的电压放大系数；
5.抗辐射能力强；
6.噪声低。
上述就是
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