场效应晶体管包括PN结型场、金属半导体场效应管及金属氧化物半导体场效应管等。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。国创在此分享场效应晶体管的特点！
特点：
它是一种屯压控制器件，而BJT是电流控制器件。
它是多子器件，因而无少子扩散引起的散粒噪声，仅有热噪声，故噪声很低；同时，它是一种单极器件，即只有一种极性的载流子参与工作，而BJT是双极的。
输入阻抗高，有利于放大器的直接耦合，且输入功耗小。
温度稳定性好，具有零或负的温度系数，大电流下工作稳定，增益在较高漏电流下为常数。
制造工艺较BJT简单，有利于提高集成度。
PN结型场效应管
场效应管是用PN结作为栅的FET，依靠加在PN结上的电压控制从结到耗尽层的宽度，从而改变沟道宽度、控制流过源和漏之间的电流的半导体器件。场效应管的工作特性可以大部分与金属半导体场效应管的工作特性作同样考虑，但由于栅极要用PN结，因而必须考虑PN结产生的耗尽量延迟程度的不同。一般而言，场效应管具有如下特征：
扩散电位可以达到1V以上，具有很大的工作余裕度。
可以外加高的栅电压，饱和电流可以设计得更大，得到高的跨导。
由于可以得到高的跨导和高的饱和电流，因而电路内的各个节点的充电时间加快，可以达到高速工作，但功耗趋于增大。
可以用选择性离子注入扩散形成N沟道和P沟道，适用于构成互补型电路。
用扩散和离子注入形成结，不适于微细化加工。外延结必须采用刻蚀等特殊加工技术。
上述就是
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