达林顿管也称为复合管。它串联连接两个晶体管以形成等效的新晶体管。该等效三极管的放大倍数是原始两个三极管的乘积，因此具有高放大倍数的特征。
达林顿管的作用通常是在高灵敏度放大电路中放大很小的信号。在电子电路设计中，达林顿连接通常用于功率放大器和稳压电源。达林顿管中的第一个晶体管在发射极跟随器模式下工作，以放大输入电流并增加输入阻抗。这允许达林顿管由普通的TTL和CMOS门电路驱动。为了使达林顿管饱和，输入电压须高于Vbe的两倍。此外，当达林顿饱和时，其C和E之间的电压需要维持第一级三极管的工作电压，该电压也比普通三极管的饱和电压（约0.2V）高得多，通常更高要过0.65V。在大电流下，该电压会更高，这会大大增加达林顿管在开-关状态下的功耗。
达林顿晶体管的基极足够灵敏，可以响应来自开关或直接来自TTL或5V CMOS逻辑门的全小输入电流。全达林顿对的大集电极电流Ic（max）与主开关晶体管TR 2的大集电极电流Ic（max）相同，因此可用于操作继电器，直流电动机，螺线管和灯等。
达林顿晶体管对的主要缺点之一是在完全饱和时基极和发射极之间的小压降。完全导通时，饱和电压降在0.3v至0.7v之间时，与单个晶体管不同，达林顿器件的基极-发射极电压降是基极-发射极电压降的两倍，而基极-发射极电压则是基极-发射极电压的两倍。极间的压降增加了一倍（1.2 V而不是0.6 V）。两个单独的晶体管的基极-发射极二极管压降的总和，取决于通过晶体管的电流，可以在0.6v至1.5v之间。
对于给定的负载电流，这种高的基极-发射极压降意味着达林顿晶体管会比普通的双极晶体管变热，因此需要良好的散热性。而且，达林顿晶体管具有较慢的开-关响应时间，因为从晶体管TR1将主晶体管TR2完全导通或完全截止所花费的时间更长。
上述就是
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