特点
正向压降小;整流效率高;
芯片采用硅外延平面结构;
可提供封装外形为D2-03B型玻璃封装,体积小,重量轻;
质量等级及执行标准
G、G+级,QZJ840611;
最大额定值
型号/参数值 | VBR(V) | VRWM(V) | IFM(mA) | IFSM(A) | Tstg(℃) |
2DK1100 | 100 | 80 |
1000 |
10 |
-55~150 |
2DK1120 | 120 | 100 | |||
2DK1150 | 150 | 130 | |||
2DK1100L | 100 | 80 |
1500 |
15 | |
2DK1120L | 120 | 100 | |||
2DK1150L | 150 | 130 |