2DK180UR、2DK1100UR
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特点
正向压降小；反向恢复时间短；
芯片采用硅外延平面结构；
可提供封装外形为MELF(D0-213AB)型玻璃封装，体积小，重量轻；
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611；
JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ30006-2010，GJB33A-1997.
最大额定值
型号/参数值 | VRM(V) | VRWM(V) | IFM(mA) | IFSM(A) | TjM(℃) | Tstg(℃) |
2DK180UR | 80 | 60 | 1.0 | 10 | 150 | -55~150 |
2DK1100UR | 100 | 80 |
材质
硅
产品描述
正向压降小；反向恢复时间短；
