2DK2150SU~2DK5150SU;2DK2200SU~2DK5200SU
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- 产品详情
- 产品参数
特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
封装形式：金属陶瓷封装（SMD-0.1）
该系列产品为单芯二级管，产品型号后加缀“S”
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611；
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃
工作温度Tamb：-55℃~125℃
型号/ 参数 | 最大额定值 | 主要电特性 | ||||
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) | |
IR=0.1mA | tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM | |||
2DK2150SU | 2 | ≥150 | 120 |
30 |
0.1 | ≤0.75 |
2DK2200SU | ≥200 | 160 | ≤0.80 | |||
2DK3150SU | 3 | ≥150 | 120 | ≤0.80 | ||
2DK3200SU | ≥200 | 160 | ≤0.85 | |||
2DK4150SU | 4 | ≥150 | 120 |
30 |
0.1 | ≤0.85 |
2DK4200SU | ≥200 | 160 | ≤0.90 | |||
2DK5150SU | 5 | ≥150 | 120 | ≤0.90 | ||
2DK5200SU | ≥200 | 160 | ≤0.95 | |||
材质
硅
产品描述
正向导通损耗小；正向压降低；
