2DK3150
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- 产品详情
- 产品参数
特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
封装形式：金属陶瓷封装（SMD-0.1带引线）
质量等级及执行标准
H、G+级，QZJ840611；
2DK3150:JP、JT、JCT、JCT/K+级，Q/RBJ21071-2011。
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
封装形式：金属陶瓷封装（SMD-0.1带引线）
质量等级及执行标准
H、G+级，QZJ840611；
2DK3150:JP、JT、JCT、JCT/K+级，Q/RBJ21071-2011。
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;
工作温度Tamb：-55℃~125℃。
型号/ 参数 | 最大额定值 | 主要电特性 | ||||
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) | |
IR=0.1mA | tp=10ms | VR=130V | IF=IFM | |||
2DK3150 | 3 | ≥150 | 130 | 10 | ≤1.0 | ≤0.78 |
材质
硅
产品描述
正向导通损耗小；正向压降低；
