2DK12~2DK14
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特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
可提供封装外形有：金属陶瓷封装（SMD-0.5，SMD-1）金属通孔插装（TO-257）、金属圆帽封装（B2-01B）。
质量等级及执行标准
H、G+级，QJ/01-RBJ010H1-1999,QZJ840611；
2DK12：JP、JT、JCT级，ZZR-QJ/01RBJ019-1999;
2DK13：JP、JT、JCT级，ZZR-QJ/01RBJ010B-1999;
2DK14：JP、JT、JCT级，ZZR-QJ/01RBJ011B-1999;
2DK12：JY1级，ZZR(Z)-Q/RBJ22008-2007;
2DK13、2DK14：JCT级（可靠性增长），Q/RBJ22004-2003。
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃；
工作温度Tamb：-55℃~125℃。
型号/参数 | 最大额定值 | 主要电特性 | |||||
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) | ||
IR=0.1mA | tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM | ||||
2DK12 | A |
3 | ≥60 | 50 |
30 |
≤0.1 |
≤0.65 |
B | ≥70 | 60 | |||||
C | ≥80 | 70 | |||||
2DK13 | A |
5 | ≥20 | 15 |
60 |
≤0.1 |
≤0.65 |
B | ≥35 | 30 | |||||
C | ≥45 | 40 | |||||
D | ≥60 | 50 |
50 |
≤0.1 | |||
E | ≥70 | 60 | |||||
F | ≥80 | 70 | |||||
2DK14 | A |
10 | ≥20 | 15 |
200 |
≤0.1 |
≤0.68 |
B | ≥35 | 30 | |||||
C | ≥45 | 40 | |||||
D | ≥60 | 50 |
100 |
≤0.1 | |||
E | ≥70 | 60 | |||||
F | ≥80 | 70 | |||||
材质
硅
产品描述
正向导通损耗小；正向压降低；
