2DK240~2DK5120
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特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
可提供封装外形有：金属陶瓷封装（SMD-0.5）、通孔插装（TO-257）、金属圆帽封装（B2-01B）。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611；
2DK560S：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20035-2005;
2DK5100S：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20037-2005;
2DK5100S：JCT、JY1级，ZZR-Q/RBJ20037A-2011;
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃；工作温度Tamb：-55℃~125℃
型号/参数 | 最大额定值 | 主要电特性 | ||||
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) | |
IR=0.1mA | tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM | |||
2DK240 | 2 | ≥40 | 30 | 20 | ≤0.1 | ≤0.52 |
2DK260 | ≥60 | 50 | ||||
2DK280 | ≥80 | 60 | ||||
2DK340 | 3 | ≥40 | 30 | 30 | ≤0.1 | ≤0.55 |
2DK360 | ≥60 | 50 | ||||
2DK380 | ≥80 | 60 | ||||
2DK3100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK440 | 4 | ≥40 | 30 | 50 | ≤0.1 | ≤0.58 |
2DK460 | ≥60 | 50 | ||||
2DK480 | ≥80 | 60 | ||||
2DK4100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK4120 | ≥120 | 100 | ||||
2DK540 | 5 | ≥40 | 30 | 50 | ≤0.1 | ≤0.6 |
2DK560 | ≥60 | 50 | ||||
2DK580 | ≥80 | 60 | ||||
2DK5100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK5120 | ≥120 | 100 | ||||
材质
硅
产品描述
正向导通损耗小；正向压降低；
