2DK680~2DK8150
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- 产品参数
特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
可提供封装外形有：金属陶瓷封装（SMD-1）、通孔插装（TO-257）、金属圆帽封装（B2-01B）。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611；
2DK6100S：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20038-2005;
2DK6100S：JY1级，ZZR(Z)-Q/RBJ20038A-2007;
2DK6120S：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20039-2005;
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃；工作温度Tamb：-55℃~125℃
型号/ 参数 | 最大额定值 | 主要电特性 | ||||
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) | |
IR=0.1mA | tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM | |||
2DK680 | 6 | ≥80 | 60 |
50 |
≤0.1 |
≤0.68 |
2DK6100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK6120 | ≥120 | 100 | ||||
2DK6160 | ≥160 | 140 | ≤0.75 | |||
2DK6200 | ≥200 | 180 | ||||
2DK860 | 8 | ≥60 | 40 |
60 |
≤0.1 |
≤0.68
|
2DK880 | ≥80 | 60 | ||||
2DK8100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK8120 | ≥120 | 100 | ||||
2DK8150 | ≥150 | 130 | ≤0.75 | |||
材质
硅
产品描述
正向导通损耗小；正向压降低；
