- 产品详情
- 产品参数
特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
可提供封装外形有：金属陶瓷封装（SMD-1）、通孔插装（TO-257）、金属圆帽封装（B2-01B）。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611；
2DK1060S：JP、JT、JCT级，Q/RBJ20036-2005;
2DK1080S：JP、JT、JCT级，Q/RBJ30001-2006;
2DK10100：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20051-2008;
2DK10150S：JCT JY1级，ZZR(Z)-Q/RBJ22015-2011;
2DK10200：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20052-2008;
2DK1560S：JP、JT、JCT级，Q/RBJ30002-2006;
2DK15100S：JP、JT、JCT级，Q/RBJ20040-2006;
2DK15150S：JY1级，ZZR(Z)-Q/RBJ23001-2007;
2DK15150：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20053-2008.
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃；工作温度Tamb：-55℃~125℃。
型号/ 参数 | 最大额定值 | 主要电特性 | ||||
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) | |
IR=0.1mA | tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM | |||
2DK1040 |
10 | ≥40 | 30 |
100 |
≤0.1 |
≤0.68 |
2DK1060 | ≥60 | 50 | ||||
2DK1080 | ≥80 | 60 | ||||
2DK10100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK10120 | ≥120 | 100 |
80 | |||
2DK10150 | ≥150 | 130 | ≤0.8 | |||
2DK10200 | ≥200 | 180 | ||||
2DK1540 |
15 | ≥40 | 30 |
150 |
≤0.1 |
≤0.75 |
2DK1560 | ≥60 | 50 | ||||
2DK1580 | ≥80 | 60 | ||||
2DK15100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK15120 | ≥120 | 100 | ||||
2DK15150 | ≥150 | 130 | 120 | ≤0.85 | ||
2DK15200 | ≥200 | 180 | ||||
