2DK4060~2DK50200
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- 产品参数
特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
可提供封装外形有：金属陶瓷封装（SMD-2）、通孔插装（TO-258）、金属圆帽封装（B2-01C）。
质量等级及执行标准
所有产品：G、G+级，QZJ840611；
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃；工作温度Tamb：-55℃~125℃。
型号/参数 | 最大额定值 | 主要电特性 | ||||
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) | |
IR=0.1mA | tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM | |||
2DK4060 | 40 | ≥60 | 50 |
420 |
≤0.1 |
≤0.88 |
2DK4080 | ≥80 | 60 | ||||
2DK40100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK40150 | ≥150 | 130 | ≤0.95 | |||
2DK40200 | ≥200 | 180 | ||||
2DK5060 |
50 | ≥60 | 50 |
520 |
≤0.1 | ≤0.75 (IF=0.5IFM) |
2DK5080 | ≥80 | 60 | ||||
2DK50100 | ≥100 | 80 | ||||
2DK50150 | ≥150 | 130 | ≤0.85 (IF=0.5IFM) | |||
2DK50200 | ≥200 | 180 | ||||
材质
硅
产品描述
正向导通损耗小；正向压降低；
