4ZL540~4ZL6160
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- 产品参数
特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
封装形式：通孔插装（MO-078）。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611；
最大额定值和电特性
贮存温度Tstg：-55℃~150℃
工作温度Tamb：-55℃~125℃
型号/参数 | 最大额定值 | 主要电特性 | ||||
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) | |
IR=0.1mA | tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM | |||
4ZL540 |
5 | ≥80 | 60 |
50 |
≤5 |
1.5 |
4ZL560 | ≥120 | 100 | ||||
4ZL580 | ≥160 | 140 | ||||
4ZL5100 | ≥200 | 180 | ||||
4ZL5120 | ≥240 | 220 | ||||
4ZL5150 | ≥300 | 280 | 1.6 | |||
4ZL5200 | ≥400 | 380 | 1.7 | |||
4ZL6160 | 6 | ≥320 | 300 | |||
材质
硅
产品描述
正向导通损耗小；正向压降低；
