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特点
正向导通损耗小；正向压降低；
芯片采用硅外延平面结构；
可提供封装外形有：TO-257(2DK1660T、2DK16100T);TO-254(2DK35150VT)
质量等级及执行标准
2DK1660T：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20071-2013;
2DK16100T：JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20070-2013;
2DK35150VT：JCT级，Q/RBJ21101-2013。
最大额定值
型号/参数 | IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | Tstg(℃) | Tj(℃) | 替代国外型号 |
IR=0.1mA | tp=8.3ms | ||||||
2DK1660T | 16 | ≥60 | 60 | 250 | -55~150 | -55~150 | 16CYQ060 |
2DK16100T | ≥100 | 100 | -65~150 | -65~150 | 16CYQ100 | ||
2DK35150VT | 35 | ≥150 | 150 | 280 | -55~150 | -55~150 | 35CGQ150 |
电特性
电参数 | 测试条件 | 2DK1660T | 2DK16100T | 2DK35150VT | 单位 | |||
最小 | 最大 | 最小 | 最大 | 最小 | 最大 | |||
VFM1 | TC=25℃,IF=0.5IFM | - | 0.58 | - | 0.75 | - | 0.93 | V |
VFM2 | TC=25℃,IF=IFM | - | 0.77 | - | 0.95 | - | 1.18 | V |
VFM3 | TC=125℃,IF=0.5IFM | - | 0.55 | - | 0.66 | - | 0.8 | V |
VFM4 | TC=125℃,IF=IFM | - | 0.79 | - | 0.85 | - | 1.07 | V |
VFM5 | TC=-55℃,IF=0.5IFM | - | 0.63 | - | 0.77 | - | 1.05 | V |
VFM6 | TC=-55℃,IF=IFM | - | 0.79 | - | 0.98 | - | 1.29 | V |
IR1 | VR=VRWM | - | 680 | - | 10 | - | 100 | μA |
IR2 | TC=125℃,VR=VRWM | - | 84 | - | 10 | - | 16 | mA |
Ctot | VR=5V,f=1MHz | - | 700 | - | 480 | - | 800 | pF |
注：本表中电参数均为单芯的电特性。 | ||||||||
