3CG102型硅PNP超高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CG102A | 150 | 1500 | 25 | -25 | -20 | -4 | -55~175 |
3CG102B | -25 | -20 | |||||
3CG102C | -25 | -20 | |||||
3CG102D | -25 | -20 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照1mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按10mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数 值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
hFE | VCE=-10V,IC=2mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.8 | -1.0 | V | |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.2 | -0.6 | V | |
fT | 3CG102A |
VCE=-10V,IC=5mA,f=100MHz | 700 | 800 |
- |
MHz |
3CG102B | 800 | 900 | ||||
3CG102C | 1000 | 1200 | ||||
3CG102D | 1200 | 1500 | ||||
Cob | VCB=-6V,IE=0,f=1MHz | - | 2 | 2.5 | pF | |
