3CG170型硅PNP高频高反压小功率晶体管
￥0.00
- 产品详情
- 产品参数
特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CG170A | 500 | 2000 | 50 | -80 | -60 | -4 | -55~175 |
3CG170B | -120 | -100 | |||||
| 3CG170C | -160 | -140 | |||||
| 3CG170D | -200 | -180 | |||||
3CG170E | -240 | -220 | |||||
| 3CG170T | -400 | -400 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照3.33mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -80 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=-30V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
ICEO | VCE=-30V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
IEBO | VEB=-1.5V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
hFE | VCE=-10V,IC=10mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.8 | -1.0 | V | |
VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.1 | -0.5 | V | |
fT | 3CG170A~C | VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 100 | 140 | - | MHz |
3CG170D、E、T | 50 | 80 | ||||
