3CG807型硅PNP高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UB型。
可替代型号：BC807.
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ | |
3CG807 | 250 | 1000 | 1 | -50 | -45 | -5 | -55~175 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照1.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.67mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -45 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 10 | 100 | nA |
ICEO | VCE=-10V | - | 20 | 100 | nA |
IEBO | VEB=-3.5V | - | 30 | 100 | nA |
hFE | VCE=-1V,IC=100mA | 25 | - | 300 | - |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -1.2 | -1.5 | V |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -0.7 | -1 | V |
| fT | VCE=-5V,IC=10mA,f=100MHz | 80 | 200 | - | MHz |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 7 | 10 | pF |
