3CG3637型硅PNP高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
可替代型号：2N3637.
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20055-2009,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ | |
3CG3637 | 1000 | 5000 | 1 | -175 | -175 | -5 | -65~200 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照5.71mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按28.6mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -175 | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -175 | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | V |
ICBO | VCB=-175V | - | 10 | μA |
ICEO | VCE=-100V | - | 10 | μA |
IEBO | VEB=-3V | - | 50 | nA |
hFE | VCE=-10V,IC=50mA | 100 | 300 | - |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.6 | V |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | 0.65 | -0.9 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=5mA,f=100MHz | 200 | 850 | MHz |
| Cob | VCB=-20V,IE=0mA,f=1MHz | - | 10 | pF |
| ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 200 | ns |
| toff | IC=500mA,IB=50mA | - | 600 | ns |
