3CK4型硅PNP高频小功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1201-2004,QZJ840611;
JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20028-2004,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CK4A | 700 | 2000 | 400 | -25 | -20 | -5 | -55~175 |
3CK4B | -35 | -30 | |||||
| 3CK4C | -40 | -35 | |||||
| 3CK4D | -30 | -25 | |||||
3CK4E | -40 | -35 | |||||
| 3CK4F | -30 | -25 | |||||
| 3CK4G | -40 | -35 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4.7mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V | |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.05 | μA | |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.2 | μA | |
hFE | VCE=-1V,IC=300mA | 30 | - | 250 | - | |
VBE(sat) | IC=300mA,IB=30mA | - | -0.9 | -1.2 | V | |
VCE(sat) | IC=300mA,IB=30mA | - | -0.2 | -0.8 | V | |
fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 120 | 150 | - | MHz | |
ton | IC=300mA,IB=30mA | - | 20 | 50 | ns | |
toff | 3CG4A~C | IC=300mA,IB=30mA | - | 220 | 250 | ns |
3CG4E、D | 130 | 150 | ||||
3CG4G | 90 | 100 | ||||
