3CK5型硅PNP高频小功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20029-2004,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3CK5A | 5 | 1.5 | -15 | -15 | -4 | -55~175 |
3CK5B | -30 | -20 | ||||
| 3CK5C | -40 | -30 | ||||
| 3CK5D | -50 | -40 | ||||
3CK5E | -60 | -50 | ||||
aPtot为TC=75℃时的最大额定功率；TC＞75℃时，按50mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.2 | 3 | μA | |
ICEO | VCE=-10V | - | 2 | 30 | μA | |
IEBO | VEB=-1.5V | - | 0.2 | 3 | μA | |
hFE | VCE=-5V,IC=200mA | 50 | - | 250 | - | |
VBE(sat) | IC=400mA,IB=80mA | - | -1.2 | -1.5 | V | |
VCE(sat) | IC=400mA,IB=80mA | - | -0.4 | -0.8 | V | |
fT | VCE=-10V,IC=100mA,f=30MHz | 50 | 100 | - | MHz | |
ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 30 | 80 | ns | |
toff | 3CG5A~C | IC=500mA,IB=50mA | - | 180 | 200 | ns |
3CG2E、D | 270 | 300 | ||||
