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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QJ/01RBJ023H1-2000,QZJ840611;
A3-02B型JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20030-2004,GJB33A-1997.
A3-02B型JY1级增长(JY1/K)，ZZR(Z)-Q/RBJ22007-2007,GJB33A-1997.
SMD-0.2型JY1级增长(Y1/K+)，ZZR(Z)-Q/RBJ22016-2011,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | Ptot3c | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CK10A | 840 | 1000 | 2000 | 1000 | -25 | -20 | -4 | -55~175 |
3CK10B | -35 | -30 | ||||||
| 3CK10C | -40 | -35 | ||||||
| 3CK10D | -35 | -30 | ||||||
3CK10E | -45 | -40 | ||||||
| 3CK10F | -55 | -50 | ||||||
| 3CK10G | -80 | -75 | ||||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热帽时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照5.6mW/℃线性地降额. bPtot2为TA=25℃,加散热帽时的最大额定功率；TA＞25℃时，按6.67mW/℃线性地降额. cPtot3为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | ||||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V | |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 5 | μA | |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
IEBO | VEB=-4V | - | 0.02 | 5 | μA | |
hFE | VCE=-6V,IC=100mA | 40 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -0.9 | -1.5 | V | |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -0.2 | -1 | V | |
fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 100 | 200 | - | MHz | |
ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 20 | 60 | ns | |
toff | 3CG10A~C | IC=500mA,IB=50mA | - | 180 | 200 | ns |
3CG10E、D | 130 | 150 | ||||
3CG10F、G | 180 | 200 | ||||
