3CK20型硅PNP高频大功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ1400-2001,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3CK20A | 20 | 3 | -40 | -30 | -5 | -55~175 |
3CK20B | -60 | -40 | ||||
| 3CK20C | -80 | -60 | ||||
| 3CK20D | -100 | -80 | ||||
3CK20E | -120 | -100 | ||||
| 3CK20F | 2 | -140 | -120 | |||
| 3CK20G | -180 | -160 | ||||
| 3CK20H | -220 | -200 | ||||
aTA＞25℃,按照133.3mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 2 | 10 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 2 | 100 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 2 | 10 | μA |
hFE | VCE=-3V,IC=500mA | 25 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=1000mA,IB=200mA | - | -1 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=1000mA,IB=200mA | - | -0.4 | -0.8 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=200mA,f=10MHz | 25 | 40 | - | MHz |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 120 | 180 | pF |
| ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 60 | 100 | ns |
| toff | IC=500mA,IB=50mA | - | 400 | 500 | ns |
