3CK104型硅PNP高频小功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3CK104B | 750 | 2000 | 1000 | -50 | -50 | -5 | -55~175 |
| 3CK104C | -80 | -80 | |||||
| 3CK104D | -110 | -110 | |||||
3CK104E | -150 | -150 | |||||
| 3CK104F | -200 | -200 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照5mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=VCBO | - | 0.05 | 0.1 | mA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.5 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.5 | 1 | μA |
hFE | VCE=-3V,IC=750mA | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=750mA,IB=75mA | - | -0.9 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=750mA,IB=75mA | - | -0.2 | -0.25 | V |
| ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 300 | 500 | ns |
| toff | IC=500mA,IB=50mA | - | 1000 | 1200 | ns |
