3CK5415型硅PNP高频小功率开关晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
可替代国外产品：2N5415.
质量等级及执行标准
JP、JT、JCT级，ZZR-Q/RBJ20056-2009,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | W | A | V | V | V | ℃ | |
3CK5415 | 750 | 10 | 1 | 200 | 200 | 6 | -65~200 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4.29mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按57.1mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -200 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -200 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -6 | - | - | V |
ICBO | VCB=-175V | - | 1 | 50 | μA |
ICEO | VCE=-150V | - | 1 | 50 | μA |
IEBO | VEB=-6V | - | 0.5 | 20 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=50mA | 30 | - | 120 | - |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.8 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.4 | -1.2 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=5mA,f=10MHz | 15 | 50 | - | MHz |
| Cob | VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | - | 10 | 15 | pF |
| ton | IC=50mA,IB=5mA | - | 0.2 | 1 | μs |
| toff | IC=50mA,IB=5mA | - | 5 | 10 | μs |
