3CA32型硅PNP高频大功率晶体管
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特点
金属封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3CA32A | 1.5 | 3 | -40 | -40 | -5 | -55~175 |
3CA32B | -60 | -60 | ||||
| 3CA32C | -80 | -80 | ||||
| 3CA32D | -100 | -100 | ||||
aPtot为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V | |
ICEO | 3CA32A、B | VCB=-30V | - | - | 0.3 | mA |
| 3CA32C、D | VCE=-60V | - | - | 0.3 | mA | |
IEBO | VEB=-5V | - | - | 1 | mA | |
hFE | VCE=-10V,IC=100mA | 20 | - | - | - | |
VBE(sat) | IC=3A,IB=375mA | - | - | -1.8 | V | |
VCE(sat) | IC=3A,IB=375mA | - | - | -1.2 | V | |
