3CA238、3DA237型硅PNP、NPN高频大功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-1、TO-267型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
3CA238:JP、JT、JCT级，Q/RBJ21024-2005,GJB33A-1997.
3DA237:JP、JT、JCT级，Q/RBJ21022-2005,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICMC | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V | V | ℃ | |
3CA238 | 1.5 | 25 | 2 | -100 | -100 | -5 | -55~175 |
3DA237 | 100 | 100 | 5 | ||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照6.67mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. CICM为集电极允许耗散功率的范围内，能连续通过发射极的直流电流的最大值。 | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 100 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 100 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=30V | - | 2 | 100 | μA |
ICEO | VCE=30V | - | 2 | 100 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 2 | 100 | μA |
hFE1 | VCE=2V,IC=150mA | 80 | - | 120 | - |
hFE2 | VCE=4.2V,IC=6A | 3 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=300mA,IB=100mA | - | 1.2 | 1.5 | V |
VCE(sat) | IC=300mA,IB=100mA | - | 0.4 | 0.6 | V |
| fT | VCE=10V,IC=100mA,f=10MHz | 3 | 20 | - | MHz |
