3DD03型硅NPN低频大功率晶体管
￥1.00
- 产品详情
- 产品参数
特点
金属封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01C、SMD-2、TO-254型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3DD03A | 30 | 3 | 70 | 60 | 5 | -65~175 |
3DD03B | 90 | 80 | ||||
| 3DD03C | 110 | 100 | ||||
aPtot为TC=75℃,不加散热片时的最大额定功率. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 70 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICEO | VCE=0.5VCEO | - | - | 0.5 | mA |
ICBO | VCB=0.5VCBO | - | - | 0.05 | mA |
IEBO | VEB=3V | - | - | 0.01 | mA |
hFE | VCE=10V,IC=0.5A | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=2.5A,IB=500mA | - | - | 1.5 | V |
VCE(sat) | IC=2.5A,IB=500mA | - | - | 1 | V |
