3DD5型硅NPN低频大功率晶体管
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特点
金属封装；在各种电路中作开关及放大与振荡用；
可提供封装外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ | |
3DD5A | 20 | 2 | 70 | 50 | 5 | -55~175 |
3DD5B | 150 | 100 | ||||
| 3DD5C | 200 | 150 | ||||
| 3DD5D | 250 | 200 | ||||
| 3DD5E | 300 | 250 | ||||
| 3DD5F | 350 | 300 | ||||
| 3DD5G | 1.5 | 450 | 400 | |||
| 3DD5H | 550 | 500 | ||||
| 3DD5I | 650 | 600 | ||||
aPtot为TC≤75℃,加散热片时的最大额定功率. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 70 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 50 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICEO(3DD5A) | VCE=30V | - | - | 0.5 | mA |
ICEO(3DD5B) | VCE=50V | - | - | 0.5 | mA |
ICEO(3DD5C~I) | VCE=100V | - | - | 0.5 | mA |
hFE(3DD5A~F) | VCE=5V,IC=1A | 15 | - | 120 | - |
hFE(3DD5G~I) | VCE=10V,IC=750mA | 7 | - | 120 | - |
VCE(sat)(3DD5A~F) | IC=1A,IB=100mA | - | - | 1 | V |
VCE(sat)(3DD5G~I) | IC=0.75A,IB=150mA | - | - | 1.5 | V |
