3DG170型硅NPN高频高反压小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DG170A | 500 | 2000 | 50 | 60 | 60 | 5 | -55~175 |
3DG170B | 100 | 100 | |||||
| 3DG170C | 140 | 140 | |||||
| 3DG170D | 180 | 180 | |||||
| 3DG170E | 220 | 220 | |||||
| 3DG170F | 60 | 60 | |||||
| 3DG170G | 100 | 100 | |||||
| 3DG170H | 140 | 140 | |||||
| 3DG170I | 180 | 180 | |||||
| 3DG170J | 220 | 220 | |||||
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照3.33mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | ||||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | ||
VCBO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V | |
VCEO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V | |
ICBO | VCB=30V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
ICEO | VCE=30V | - | 0.02 | 0.5 | μA | |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.1 | μA | |
hFE | VCE=10V,IC=5mA | 25 | - | 180 | - | |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | 0.7 | 1 | V | |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | 0.1 | 0.5 | V | |
| fT | 3DG170A~E | VCE=10V,IC=5mA,f=30MHz | 50 | 80 | - | MHz |
3DG170F~J | 100 | 150 | ||||
