3DG183型硅NPN高频高反压小功率晶体管
3DG183型硅NPN高频高反压小功率晶体管
￥1.00
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特点

金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；

特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；

可提供封装外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。

质量等级及执行标准

G、G+级，QZJ840611.


最大额定值


型号

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

mA

V

V

V

℃

3DG183A



700



2000



100

250

250



5



-55~175

3DG183B

300
300
3DG183C350350
3DG183D400400
3DG183E450
450

aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照4.67mW/℃线性地降额.

bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按13.3mW/℃线性地降额.


电特性

参   数

数值

单位

符号

测试条件

最小值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

250

-

V

VCEO

IC=0.1mA

250

-

V

VEBO

IE=0.1mA

5

-

V

ICBO

3DG183AVCB=100V

-

1

μA

3DG183B、CVCB=150V
3DG183D、E

VCB=200V

ICEO

3DG183AVCE=100V

-

1

μA

3DG183B、CVCE=150V
3DG183D、E

VCE=200V

IEBO

VEB=4V

-

1

μA

hFE

VCE=10V,IC=5mA

20

200

-

VBE(sat)

IC=100mA,IB=10mA

-

1.2

V

VCE(sat)

IC=100mA,IB=10mA

-

1

V

fT

VCE=10V,IC=20mA,f=30MHz

50-MHz
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