3DG918型硅NPN超高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A4-01B、UB型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DG918 | 200 | 300 | 50 | 30 | 15 | 3 | -55~175 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照1.33mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按2mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 30 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 15 | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 3 | - | - | V |
ICBO | VCB=25V | - | 10 | 50 | nA |
ICEO | VCE=5V | - | 10 | 100 | nA |
IEBO | VEB=2.5V | - | 10 | 50 | nA |
hFE | VCE=1V,IC=3mA | 20 | - | 200 | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.7 | 1 | V |
VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | 0.3 | 0.4 | V |
| fT | VCE=10V,IC=4mA,f=100MHz | 600 | 800 | - | MHz |
| Cob | VCB=10V,IE=0,f=1MHz | - | 5 | - | pF |
