3DG8050 型硅NPN高频小功率晶体管
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特点
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
可提供封装外形有：A3-01B、UB型。
可替代型号：MMBT8050.
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
3DG8050 | 300 | 1000 | 500 | 40 | 25 | 5 | -55~175 |
aPtot1为TA=25℃,不加散热片时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照2mW/℃线性地降额. bPtot2为TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，按6.67mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 25 | - | V | |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=40V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=20V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=5V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=1V,IC=50mA | 100 | - | 300 | - |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 0.4 | 0.6 | V |
| VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | 1 | 1.2 | V |
| fT | VCE=6V,IC=20mA,f=30MHz | 150 | 200 | - | MHz |
