2N4854V型硅PNP/NPN高频小功率开关晶体管对管
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用2个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：A6-02A型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
JP、JT、JCT级，Q/RBJ21025-2005,GJB33A-1997.
最大额定值
型号 | Ptot1a | Ptot2b | Ptot3c | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mW | mA | V | V | V | ℃ | |
2N4854v | 300*2 | 500*2 | 1000*2 | 500 | 75 | 70 | 4 | -55~150 |
aPtot1是指TA=25℃时的最大额定功率；TA＞25℃时，单管按照2.4mW/℃线性地降额、双管按照4.8mW/℃线性地降额. bPtot2是指TA=25℃加散热帽时的最大额定功率；TA＞25℃时，单管按照4mW/℃线性地降额、双管按照8mW/℃线性地降额. cPtot2是指TC=25℃时的最大额定功率；TC＞25℃时，单管按照8mW/℃线性地降额、双管按照16mW/℃线性地降额. | ||||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCEO | IC=0.1mA | 70 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 1 | 5 | μA |
| ICEO | VCE=10V | - | 2 | 10 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 2 | 10 | μA |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 40 | - | 150 | - |
| 两管|△hFE/hFE(较大)| | VCE=10V,IC=10mA | - | - | 10% | - |
VBE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | 0.7 | 0.9 | V |
| VCE(sat) | IC=150mA,IB=15mA | - | 0.1 | 0.4 | V |
| fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 120 | 150 | - | MHz |
| ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 30 | 60 | ns |
| toff | IC=500mA,IB=50mA | - | 250 | 300 | ns |
| a除|△hFE/hFE(较大)|外，本表中参数为每个单管的电特性！ | |||||
