4D110型硅NPN高频小功率开关晶体管阵列
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用4个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：DIP-14型双列直插陶瓷封装。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
4D110A | 300*4 | 50 | 25 | 20 | 4 | -55~150 |
| 4D110B | 35 | 30 | ||||
| 4D110C | 50 | 45 | ||||
aTA=25℃,四个芯片同时工作时功率Ptot不大于800mW；单芯片工作时功率Ptot不大于300mW. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 25 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 20 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 5 | 10 | nA |
| ICEO | VCE=10V | - | 20 | 100 | nA |
IEBO | VEB=2V | - | 20 | 100 | nA |
hFE | VCE=10V,IC=10mA | 40 | - | 150 | - |
| 四管|△hFE/hFE(较大)| | VCE=10V,IC=10mA | - | - | 12% | - |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | 0.7 | 1 | V |
| VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | 0.1 | 0.3 | V |
| fT | VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz | 200 | 250 | - | MHz |
| a除|△hFE/hFE(较大)|外，本表中参数为每个单管的电特性！ | |||||
