4D5713型硅NPN高频小功率开关晶体管阵列
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用4个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：DIP-14型双列直插陶瓷封装。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
4D5713 | 300*4 | 500 | 75 | 70 | 5 | -55~150 |
aPtot是指TC=75℃时单芯工作时的功率为400mW. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 75 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 70 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=30V | - | 0.02 | 0.05 | μA |
| ICEO | VCE=30V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=2V,IC=100mA | 40 | - | 150 | - |
| 四管|△hFE/hFE(较大)|a | VCE=2V,IC=100mA | - | - | 12% | - |
VBE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | 0.9 | 1.2 | V |
| VCE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | 0.2 | 0.5 | V |
| fT | VCE=10V,IC=10mA,f=30MHz | 120 | 150 | - | MHz |
| a除|△hFE/hFE(较大)|外，本表中参数为每个单管的电特性！ | |||||
