FH3350型硅PNP高频小功率开关晶体管对管
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用2个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：A6-02A型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
FH3350 | 300*2 | 100 | -60 | -45 | -6 | -55~150 |
aPtot是指TA=25℃时的最大额定功率；TA＞25℃时，单管按照2.4mW/℃线性地降额、双管按照4.8mW/℃线性地降额. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -45 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -6 | - | - | V |
ICBO | VCB=-30V | - | 5 | 10 | nA |
| ICEO | VCE=-30V | - | 20 | 100 | nA |
IEBO | VEB=-3V | - | 20 | 100 | nA |
hFE | VCE=-5V,IC=1mA | 20 | - | 150 | - |
| 两管|△hFE/hFE(较大)| | VCE=-5V,IC=1mA | - | - | 10% | - |
VBE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.7 | -0.9 | V |
| VCE(sat) | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.1 | -0.3 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=5mA,f=30MHz | 60 | 150 | - | MHz |
| Cob | VCB=-10V,IC=0,f=1MHz | - | 3.5 | 6 | pF |
| a除|△hFE/hFE(较大)|外，本表中参数为每个单管的电特性！ | |||||
