FH3/4K型硅PNP/NPN高频小功率开关晶体管对管
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；开关时间小；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用2个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：D08S2型8引脚直插陶瓷双列封装。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
JP、JT、JCT级，Q/RBJ21034-2007,GJB33A-1997
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
FH3/4K | 700*2 | 200 | 50 | 45 | 4 | -55~150 |
aPtot为700mW是指TA=25℃时一个芯片工作另一个芯片不工作时的功率；两个芯片同时工作时，每个芯片功率为350mW. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 50 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 45 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
| ICEO | VCE=10V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=15V,IC=60mA | 40 | - | 150 | - |
| 两管|△hFE/hFE(较大)|a | VCE=15V,IC=60mA | - | - | 10% | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.8 | 1 | V |
| VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.1 | 0.5 | V |
| fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 120 | 150 | - | MHz |
| a除|△hFE/hFE(较大)|外，本表中参数为每个单管的电特性！ | |||||
