FH38100(2N3810) 型硅PNP高频小功率开关晶体管对管
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用2个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：A6-02A型。
质量等级及执行标准
G、G+级，QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mA | V | V | V | ℃ | |
FH3810(2N3810) | 200/350 | 50 | -60 | -60 | -5 | -65~200 |
aPtot为TA=25℃时，不加散热片时的最大额定功率，单芯片为200mW、双芯片为350mW. | ||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCEO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO1 | VCB=-60V | - | 2 | 10 | μA |
| ICBO2 | VCB=-50V | - | 4 | 10 | nA |
| IEBO1 | VEB=-5V | - | 2 | 10 | μA |
IEBO2 | VEB=-4V | - | 4 | 10 | nA |
hFE | VCE=-5V,IC=1mA | 150 | - | 450 | - |
| 两管hFE1/hFE2a | VCE=-5V,IC=1mA | 0.9 | - | 1.1 | - |
VBE(sat) | IC=1mA,IB=0.1mA | - | -0.7 | -0.8 | V |
| VCE(sat) | IC=1mA,IB=0.1mA | - | -0.2 | -0.25 | V |
| 两管hFE1/hFE2a为两个单管hFE的比值，除本参数外，本表中其余参数均为每个单管的电特性。 | |||||
