LY100S-2型硅PNP/NPN高频小功率晶体管对管
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特性
金属或金属陶瓷封装；体积小，重量轻；
特征频率高；在各种电路中作开关及高频放大与振荡用；
采用2个芯片，芯片间相互独立，可单独使用，可根据需要采用不同芯片；
可提供封装外形有：8引脚陶瓷扁平封装。
质量等级及执行标准
G、G+级，Q/RBJ9203-2006,QZJ840611;
最大额定值
型号 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj | |
mW | mA | V | V | V | ℃ | ||
LY100S-2 | PNP管芯 | 700 | 700 | -65 | -60 | -5 | -55~150 |
| NPN管芯 | 700 | 700 | 150 | 150 | 5 | ||
aPtot是指TA=25℃时的最大额定功率；TA＞25℃时，按照5.6mW/℃线性地降额. | |||||||
电特性
参 数 | 数值 | 单位 | |||
符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | |
VCBO | IC=0.1mA | 65 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=10V | - | 0.2 | 0.5 | μA |
| ICEO | VCE=10V | - | 0.2 | 1 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=10V,IC=50mA | 40 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.8 | 1 | V |
| VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | 0.2 | 0.5 | V |
| fT | VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz | 100 | 150 | - | MHz |
| 注：本表中参数为每个单管的电特性！ | |||||
