LYNM6660、LYNM6661小功率N沟道MOS场效应晶体管
￥1.00
- 产品详情
- 产品参数
特性
执行标准:QZJ840611A
封装形式:A3-02B、UA、SMD-0.2型.
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
替代国外型号：2N6660、2N6661；
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
参数名称 | 额定功率PD | 漏源击穿电压BVDSS | 漏极电流IDM | Tstg,Tj |
| mW | V | A | ℃ | |
| LYNM6660 | 725 | 60 | 0.99 | -65~150 |
| LYNM6661 | 90 | 0.86 | ||
| 注：TA=25℃时的参数。 | ||||
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | |||
最小值 | 典型值 | 最大值 | |||||
导通电阻 | RDS(ON) | LYNM6660 | VGS=10V,ID=1A | - | 2 | 3 | Ω |
| LYNM6661 | 3 | 4 | |||||
| 漏源击穿电压 | BVDSS | LYNM6660 | VGS=0V,ID=1μA | 60 | 90 | - | V |
| LYNM6661 | 90 | 110 | |||||
| 开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=1mA | 0.8 | - | 2.5 | V | |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=0.8BVDSS,VGS=0 | - | - | 1 | μA | |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=15V | - | - | 100 | nA | |
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=-15V | - | - | -100 | nA | |
| 电容 | CISS | VDS=25V,VGS=0,f=1MHz | - | 30 | 50 | pF | |
