LYNM7002型小功率N沟道MOS场效应晶体管
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特性
执行标准:QZJ840611A
封装形式:A3-01B,UB型.
开关速度快、损耗小，输入阻抗高，驱动功耗小安全工作区宽，温度稳定性好。
替代国外型号：2N7002；
极限参数
贮存温度Tstg：-55℃~150℃;工作温度Tamb：-55℃~125℃;焊接温度不超过260℃，焊接时间不超过10秒。
参数名称 | 额定功率PD | 漏源击穿电压BVDSS | 漏极电流IDM | Tstg,Tj |
| mW | V | mA | ℃ | |
| LYNM7002 | 250 | 60 | 800 | -55~150 |
| 注：TA=25℃时的参数。 | ||||
主要电特性
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | ||
最小值 | 典型值 | 最大值 | ||||
导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=500mA | - | 3.5 | 5 | Ω |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0,ID=10μA | 60 | 90 | - | V |
| 开启电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=1mA | 0.8 | - | 3 | V |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=48V,VGS=0 | - | - | 1 | μA |
正向栅极漏电流 | IGSSF | VGS=15V | - | - | 30 | nA |
反向栅极漏电流 | IGSSR | VGS=-15V | - | - | -30 | nA |
| 电容 | CISS | VDS=10V,VGS=0,f=1MHz | - | 25 | 40 | pF |
