肖特基势垒混频二极管芯片主要电特性参数（TA=25℃）

参数名称

正向

电压

正向

电压差值

击穿电压

正向

微分电阻

反向电流

结电容

噪声系数

封装类型

符号

V_F

△V_F

V_(BR)

r_F

I_R

C_j

NF

－

测试条件

I_F=1mA

I_F1=1mA I_F2=0.3mA

I_R=10µA

I_F=20mA

f=5KHz

V_R=2V

V_R=0V

f=1MHz

NF_IF=1.5dB，P_in=1.0mW，

f_IF=30MHz，f=3GHz

－

单位

mV

mV

V

ΩW

µA

pF

dB

－

型号|极限值

最大

最大

最小

最大

最大

最大

最大

－

WH1004

280

45

2.0

15

10

0.60

6.5＠f=3GHz

芯片

WH1005

300

45

2.0

15

10

0.45

6.5@f=6GHz

WH1006

320

45

2.0

15

10

0.18

7.0@f=9.375GHz

WH1007

330

47

2.0

18

10

0.15

7.5@f=16GHz

WH1008

350

50

2.0

20

10

0.10

8.5@f=24GHz

WH1009

400

45

3.0

15

－

0.60

6.5＠f=3GHz

WH1010

430

45

3.0

15

－

0.18

7.0@f=9.375GHz

WH1011

440

47

3.0

18

－

0.15

7.5@f=16GHz

WH1012

450

50

3.0

20

－

0.10

8.5@f=24GHz